パワーデバイスDC静特性試験装置 YPシリーズ
パワーMOSFET、IGBT、FET、ダイオードなどの高耐圧パワーデバイスのDC特性試験装置です。
YP3200
1素子測定に特化することで、装置全体の小型化を実現しました。
バイアス電源の性能向上と微少電流測定の向上により、テスト時間を大幅に短縮しました。
仕様
| 測定デバイス | IGBT、ダイオードなど |
|---|---|
| 高電圧・大電流部 | 3000V/300A 0～3000V （10mA max.） 0～300A （20V max.） |
| バイアス電源 | 100V/2A |
| 測定項目 | ･コレクタ-エミッタ間電圧 ･コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ･ゲート-エミッタ間漏れ電流 ･ゲート-エミッタ間電圧 ･ダイオード逆電圧/電流 ･順方向電圧 ･しきい値電圧 など |
YP3000
最大出力電圧3000V、最大出力電流1200Aとワイドな範囲の測定を実現しました。
仕様
| 測定デバイス | IPM/IGBTなど |
|---|---|
| 高電圧・大電流部 | 3000V/1200A 0～3000V （10mA max.） 0～1200A （20V max.） |
| バイアス電源 | 50V/1mA 3系統 |
| 測定項目 | ･コレクタ-エミッタ間遮断電流 ･コレクタ-エミッタ間降状電圧 ･コレクタ-エミッタ間飽和電圧 ･ダイオード順方向電圧 ･ゲートリーク電流 ･ゲートスレショルド電圧 など |
YP1000
インテリジェントパワーモジュール測定に特化した試験装置です。
半導体リレーの採用により装置の長寿命化を実現しました。
仕様
| 測定デバイス | IPM（1～7素子） |
|---|---|
| 高電圧・大電流部 | 1400V/100A 0～1400V （20mA max.） 0～100A （10V max.） |
| 制御電源 | 40V/500mA 11系統 |
お問い合わせ
製造事業本部 電力事業部 電子応用システム部
TEL 0877-63-2500
