パワーデバイスDC静特性試験装置 YPシリーズ

パワーデバイスDC静特性試験装置 YPシリーズ

パワーMOSFET、IGBT、FET、ダイオードなどの高耐圧パワーデバイスのDC特性試験装置です。

YP3200

1素子測定に特化することで、装置全体の小型化を実現しました。
バイアス電源の性能向上と微少電流測定の向上により、テスト時間を大幅に短縮しました。

仕様


YP3200
測定デバイス IGBT、ダイオードなど
高電圧・大電流部 3000V/300A
0~3000V (10mA max.)
0~300A (20V max.)
バイアス電源 100V/2A
測定項目 ・コレクタ-エミッタ間電圧
・コレクタ-エミッタ間飽和電圧
・ゲート-エミッタ間漏れ電流
・ゲート-エミッタ間電圧
・ダイオード逆電圧/電流
・順方向電圧
・しきい値電圧
など

 

YP3000

最大出力電圧3000V、最大出力電流1200Aとワイドな範囲の測定を実現しました。

仕様


YP3000
測定デバイス IPM/IGBTなど
高電圧・大電流部 3000V/1200A
0~3000V (10mA max.)
0~1200A (20V max.)
バイアス電源 50V/1mA 3系統
測定項目 ・コレクタ-エミッタ間遮断電流
・コレクタ-エミッタ間降状電圧
・コレクタ-エミッタ間飽和電圧
・ダイオード順方向電圧
・ゲートリーク電流
・ゲートスレショルド電圧
など

 

YP1000

インテリジェントパワーモジュール測定に特化した試験装置です。
半導体リレーの採用により装置の長寿命化を実現しました。

仕様


YP1000
測定デバイス IPM(1~7素子)
高電圧・大電流部 1400V/100A
0~1400V (20mA max.)
0~100A (10V max.)
制御電源 40V/500mA 11系統

 


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製造事業本部 産業事業部 装置設計部
TEL 050-8802-3090


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